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IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小

3300V IHV B 190mIGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小

SEMIPACK系列產(chǎn)品包括晶閘管，整流橋和快速二極管模塊。賽米控的晶閘管/二極管模塊占全環(huán)市場(chǎng)的27%。由于這些年來(lái)各式各樣的修改，SEMIPACK系列晶閘管/二極管模塊擁有完善的高可靠性的家簇，有著廣泛的輸出電流，從15A到1200A，電壓等級(jí)從400V到2200V。SEMIPACK系列晶閘管/二極管模塊常用在感應(yīng)電機(jī)的軟啟動(dòng)，晶體化AC電機(jī)控制器的線(xiàn)性整流，DC電機(jī)控制以及電源，溫度控制

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小

直流斬波器又稱(chēng)為截波器，它是將電壓值固定的直流電，轉(zhuǎn)換為電壓值可變的直流電源裝置，是一種直流對(duì)直流的轉(zhuǎn)換器 已被廣泛使用，如直流電機(jī)的速度控制、交換式電源供應(yīng)器(Switching-Power-Supply)等。

SEMIX有各種晶閘管/二極管模塊，IGBT模塊和整流橋。，所有的逆變單元都是緊湊的扁平化設(shè)計(jì)，且高度都統(tǒng)一為17mm，它采用了彈簧技術(shù)，控制單元全是無(wú)焊接接觸，且每一基本單元都類(lèi)似，可快速生產(chǎn)。SEMIX晶閘管/二極管模塊的電流范圍有140A-300A，電壓等級(jí)有1600V。SEMIX 的IGBT模塊可以用在AC/DC電機(jī)控制的輸入整流橋中，且適用于開(kāi)關(guān)電源，電流變頻，UPS，電焊機(jī)裝置中。

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管)組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導(dǎo)通壓降兩方面的優(yōu)點(diǎn)。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅(qū)動(dòng)電流較大;MOSFET驅(qū)動(dòng)功率很小，開(kāi)關(guān)速度快，但導(dǎo)通壓降大，載流密度小

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